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BAS45AT/R

更新时间: 2024-02-12 00:50:00
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 69K
描述
DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode

BAS45AT/R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-34包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.68其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJEDEC-95代码:DO-34
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:4 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:0.25 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.3 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:125 V最大反向恢复时间:1.5 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BAS45AT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS45A  
Low-leakage diode  
Product data sheet  
1996 Mar 13  
Supersedes data of June 1994  

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