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BAS516

更新时间： 2024-01-17 11:51:09
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乐山 - LRC 二极管
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3页 161K
描述
High-speed diode

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BAS516 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.65配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.25 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：75 V最大反向恢复时间：0.004 µs
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAS516 数据手册

 浏览型号BAS516的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAS516的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
High-speed diode  
BAS516  
FEATURES  
DESCRIPTION  
The BAS516 is a high-speed  
· Ultra small plastic SMD package  
· High switching speed: max. 4 ns  
· Continuous reverse voltage: max. 75 V  
· Repetitive peak reverse voltage: max. 85 V  
· Repetitive peak forward current: max. 500 mA.  
APPLICATIONS  
switching diode fabricated in  
planar technology, and  
1
encapsulated in the SOD523  
(SC79) SMD plastic package.  
· High-speed switching in e.g. surface mounted  
circuits.  
2
SOD523 SC-79  
1
2
CATHODE  
ANODE  
LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).  
SYMBOL  
VRRM  
V R  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
85  
UNIT  
V
repetitive peak reverse voltage  
continuous reverse voltage  
continuous forward current  
repetitive peak forward current  
non-repetitivepeakforwardcurrent  
–
–
–
–
75  
V
I F  
T s =90°C; note 1; see Fig.1  
250  
500  
mA  
mA  
I FRM  
I FSM  
square wave; Tj =25°C prior to  
surge; see Fig.3  
t =1µs  
–
–
4
1
A
A
t =1 ms  
t =1 s  
–
0.5  
500  
+150  
150  
A
P tot  
T stg  
T j  
total power dissipation  
storage temperature  
junction temperature  
T s =90°C; note 1  
–
mW  
°C  
°C  
-65  
–
Note  
1. Ts is the temperature at the soldering point of the cathode tab.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS T j =25°C unless otherwise specified.  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
see Fig.2 I F = 1 mA  
I F = 10 mA  
MAX.  
715  
855  
1
UNIT  
mV  
mV  
V
V F  
forward voltage  
I F =50 mA  
I F = 150 mA  
1.25  
30  
1
V
I R  
reverse current  
see Fig.4 V R = 25 V  
V R =75 V  
nA  
µA  
µA  
µA  
pF  
ns  
V R = 25 V; T j = 150 °C  
30  
50  
1
V R = 75 V; T j = 150 °C;  
f = 1 MHz; V R = 0; see Fig.5  
C d  
t rr  
diode capacitance  
reverse recovery time  
whenswitchedfromIF =10mA to I R =10mA;  
R L = 100 Ω; measured at I R = 1 mA; see Fig.6  
4
V fr forward recovery voltage  
when switched from IF = 10 mA; tr = 20 ns; see Fig.7  
1.75  
V
THERMALCHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
thermalresistancefromjunctiontosolderingpoint  
CONDITIONS  
VALUE UNIT  
120 K/W  
R
note 1  
th j-s  
Note  
1. Soldering point of the cathode tab.  
S29–1/2  
123

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与BAS516相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS516(LS) DIODES

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 		SWITCHING DIODE
BAS516,115 NXP

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 		BAS16 series - High-speed switching diodes SOD 2-Pin
BAS516,135 ETC

获取价格

 		DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523
BAS516,315 NXP

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 		BAS16 series - High-speed switching diodes SOD 2-Pin
BAS516/T1 NXP

获取价格

 		DIODE 0.25 A, 85 V, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, SMD, SC-79, 2 PIN, Signal Diode
BAS516F2 YANGJIE

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon,
BAS516HE3 MCC

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 		Tape : 8K/Reel,320K/Ctn;
BAS516Q YANGJIE

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 		SOD-523
BAS516-Q NEXPERIA

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 		High-speed switching diodeProduction
BAS516S SECOS

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 		Surface Mount Switching Diode

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