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BAS45ALT/R

更新时间: 2024-01-08 12:07:57
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
8页 68K
描述
DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode

BAS45ALT/R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.68
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:4 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.25 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:125 V
最大反向恢复时间:1.5 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BAS45ALT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS45AL  
Low-leakage diode  
Product data sheet  
1999 May 28  
Supersedes data of 1999 May 04  

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