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BAS40E6327

更新时间: 2024-11-23 21:16:35
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.12A, 40V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3-PIN

BAS40E6327 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SOT-23, 3-PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.33
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.38 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:0.2 A
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.12 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:40 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

BAS40E6327 数据手册

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BAS40...  
3
Silicon Schottky Diodes  
General-purpose diode for high-speed switching  
Circuit protection  
2
Voltage clamping  
High-level detecting and mixing  
1
VPS05161  
BAS40  
BAS40-04  
BAS40-05  
BAS40-06  
3
3
3
1
3
EHA07002  
1
2
1
2
1
2
EHA07006  
EHA07004  
EHA07005  
Type  
Marking  
43s  
Pin Configuration  
Package  
BAS40  
1 = A  
2 n.c.  
3=C  
SOT23  
BAS40-04  
BAS40-05  
BAS40-06  
44s  
1 = A1  
1 = A1  
1 = C1  
2 = C2  
2 = A2  
2 = C2  
3=C1/A2 SOT23  
45s  
3=C1/2  
3=A1/2  
SOT23  
SOT23  
46s  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
40  
V
Diode reverse voltage  
Forward current  
V
R
120  
200  
mA  
I
F
Surge forward current, t 10 ms  
I
FSM  
mW  
Total power dissipation  
P
tot  
T
81°C, BAS40  
250  
250  
250  
S
T
56°C, BAS40-04; BAS40-06  
31°C , BAS40-05  
S
T
S
150  
°C  
Junction temperature  
T
j
Operating temperature range  
Storage temperature  
T
-55 ... 150  
-55 ... 150  
op  
T
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
1)  
K/W  
Junction - soldering point  
R
thJS  
BAS40  
275  
375  
475  
BAS40-04; BAS40-06  
BAS40-05  
1For calculation of R  
thJA  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
Sep-04-2001  
1

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