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BAS40-07W

更新时间： 2024-01-14 13:42:14

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科信 - KEXIN		肖特基二极管开关测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	39K
描述
Silicon Schottky Diode

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BAS40-07W 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.39	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	2	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAS40-07W 数据手册

SMD Type

Diodes

Silicon Schottky Diode

BAS40-07W

SOT-343

Unit: mm

Features

General-purpose diode for high-speed switching

Circuit protection

Voltage clamping

High-level detecting and mixing

Absolute Maxim um Ratings Ta = 25

Param eter

Diode reverse voltage

Forward current

Sym bol

V^R

Value

Unit

I^F

120

m A

I^FRM

Ptot

200

Surge forward current, t

Total power dissipation, T^S

Junction tem perature

10 m s

250

T^j

150

Operating tem perature range

Storage tem perature

Top

-55 to +150

345

Tstg

RthJA

R^thJS

K/W

Junction - am bient

Junction - soldering point

Note

275

1.Package m ounted on epoxy pcb 40m m 40m m 1.5m m / 6cm ²Cu

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

V^(BR)

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Breakdown voltage

I(BR) = 10

V^R= 30 V

V^R= 40 V

I^F= 1 mA

Reverse current

Forward voltage

I^R

250

350

600

310

450

720

380

500

1000

I^F= 10 mA

I^F= 40 mA

Diode capacitance

C^T

f = 1 MHz; VR = 0

I^F= 25 mA

Charge carrier life time

Differential forward resistance

100

R^F

IF = 10 mA, f = 10 KHz

Marking

47s

www.kexin.com.cn

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