BAS40-7

更新时间： 2024-11-11 22:50:19

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美台 - DIODES		肖特基二极管
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描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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BAS40-7 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.02	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	235
最大功率耗散：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

BAS40-7 数据手册

BAS40/ -04/ -05/ -06

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features

Low Forward Voltage Drop

Fast Switching

PN Junction Guard Ring for Transient and

ESD Protection

SOT-23

Dim

Min

0.37

1.20

2.30

0.89

0.45

1.78

2.80

0.013

0.903

0.45

0.85

0°

Max

0.51

1.40

2.50

1.03

0.60

2.05

3.00

0.10

1.10

0.61

0.80

8°

Mechanical Data

TOP VIEW

Case: SOT-23, Molded Plastic

Case material - UL Flammability Rating

Classification 94V-0

Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A

Terminals: Solderable per MIL-STD-202,

Method 208

Polarity: See Diagram Below

Weight: 0.008 grams (approx.)

Marking Code: See Diagrams Below & Page 2

Ordering Information: See Page 2

All Dimensions in mm

BAS40 Marking: K43

BAS40-04 Marking: K44

BAS40-05 Marking: K45

BAS40-06 Marking: K46

Maximum Ratings ^{@ T}_A= 25°C unless otherwise specified

Characteristic

Symbol

Value

Unit

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

I_FM

P_d

Forward Continuous Current (Note 1)

Power Dissipation (Note 1)

200

350

°C/W

°C

I_FSM

Forward Surge Current (Note 1)

@ t < 1.0s

600

qJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating Temperature Range

357

T_j

-55 to +125

-65 to +150

T_STG

°C

Storage Temperature Range

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Electrical Characteristics

Characteristic

Symbol Min

Typ

Max

Unit

Test Condition

V_(BR)R

I_R= 10mA

Reverse Breakdown Voltage (Note 2)

—

t_p< 300ms, I_F= 1.0mA

t_p< 300ms, I_F= 40mA

380

1000

V_F

—

Forward Voltage (Note 2)

—

I_R

Reverse Leakage Current (Note 2)

Total Capacitance

t_p< 300ms, V_R= 30V

—

200

5.0

V_R= 0V, f =1.0MHz

C_T

—

4.0

I_F= I_R= 10mA to I_R= 1.0mA,

R_L= 100W

t_rr

Reverse Recovery Time

—

5.0

Note:

1. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website

at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.

2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.

DS11006 Rev. 12 - 2

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BAS40 /-04 /-05 /-06

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS40-7-F	WTE	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAS40-7-F	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAS40A	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
BAS40A	RECTRON	获取价格	SOT-23 SCHOTTKY DIODE
BAS40A	WTE	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
BAS40A	WON-TOP	获取价格	SMD
BAS40A-AU	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES Fast switching speed
BAS40A-AU_A0_00001	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES Fast switching speed
BAS40A-AU_A1_00001	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES Fast switching speed
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