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BAS21E6327

更新时间： 2024-02-02 23:13:20
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 114K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 200V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN

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BAS21E6327 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.55
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.25 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.35 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.05 µs表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAS21E6327 数据手册

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BAS21...  
Silicon Switching Diode  
• For high-speed switching applications  
• High breakdown voltage  
1)  
• Pb-free (RoHS compliant) package  
• Qualified according AEC Q101  
BAS21  
BAS21-03W  
BAS21U  
6
5
4
3
D
1
D
2
D
3
1
2
1
2
3
1
2
Type  
Package  
SOT23  
SOD323  
SC74  
Configuration  
single  
Marking  
JSs  
BAS21  
BAS21-03W  
BAS21U  
single  
D
parallel triple  
JSs  
Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
200  
Unit  
V
Diode reverse voltage  
Peak reverse voltage  
Forward current  
V
V
R
250  
RM  
250  
mA  
I
F
625  
Peak forward current  
I
FM  
Peak forward current  
I
625  
mA  
A
FM  
Surge forward current, t = 10 µs  
Non-repetitive peak surge forward current  
Total power dissipation  
I
4
-
FS  
I
FSM  
mW  
P
tot  
BAS21, T ≤ 70°C  
350  
250  
250  
S
BAS21-03W, T ≤ 124°C  
S
BAS21U, T ≤ 122°C  
S
150  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
-65 ... 150  
stg  
1Pb-containing package may be available upon special request  
2007-04-19  
1
1234567...9

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BAS21E6327 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAS21 INFINEON

类似代替

 Silicon Switching Diodes (High-speed, high-voltage switch)
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 High Voltage Switching Diode

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BAS21E6327HTSA1 INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 200V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN
BAS21E6327XT INFINEON

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