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BAS16VY

更新时间: 2024-11-22 11:15:19
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA PC光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 208K
描述
High-speed switching diodeProduction

BAS16VY 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SC-88, 6 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:0.94Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:ReleasedSamacsys PartID:661416
Samacsys Pin Count:6Samacsys Part Category:Diode
Samacsys Package Category:SOT23 (6-Pin)Samacsys Footprint Name:SOT-363
Samacsys Released Date:2018-02-04 16:11:50Is Samacsys:N
配置:SEPARATE, 3 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:3端子数量:6
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified参考标准:AEC-Q101; IEC-60134
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

BAS16VY 数据手册

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BAS16VY  
High-speed switching diode  
1 July 2022  
Product data sheet  
1. General description  
High-speed switching diode, encapsulated in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted  
Device (SMD) plastic package.  
2. Features and benefits  
High switching speed: trr ≤ 4 ns  
Low capacitance  
Low leakage current  
Reverse voltage: VR ≤ 100 V  
Repetitive peak reverse voltage: VRRM ≤ 100 V  
3. Applications  
High-speed switching  
General-purpose switching  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Per diode  
VR  
IR  
reverse voltage  
reverse current  
-
-
-
-
-
-
100  
0.5  
4
V
VR = 80 V  
µA  
ns  
trr  
reverse recovery time IF = 10 mA; IR = 10 mA; RL = 100 Ω;  
IR(meas) = 1 mA; Tamb = 25 °C  
 
 
 
 

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