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BAS16TW

更新时间： 2024-10-02 12:48:03

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SWITCHING DIODE

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BAS16TW 数据手册

RoHS

MMBD4148/BAS16TW

MMBD4148TW /BAS16TW SWITCHING DIODE

FEATURES

Power dissipation

P_D:

200 mW (Tamb=25℃)

Collector current

I_O:

Collector-base voltage

V_R:

150

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

MAKING: KA2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

MAX

UNIT

V_{(BR) R}

I_R= 100µA

Reverse breakdown voltage

V_R=75V

V_R=20V

I_R

Reverse voltage leakage current

µA

0.025

I_F=1mA

I_F=10mA

I_F=50mA

I_F=150mA

0.715

0.855

Forward voltage

Total capacitance

V_F

C_T

1.25

V_R=0V, f=1MHz

I_F=I_R=10mA

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

t_rr

Reveres recovery time

I_rr=0.1×I_R,R_L=100Ω

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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