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BAS16

更新时间： 2024-09-29 22:48:11
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强茂 - PANJIT 二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 104K
描述
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

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BAS16 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.01Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.855 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.25 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.35 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.006 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAS16 数据手册

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BAS16, BAS19, BAS20, BAS21  
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES  
350 mWatts  
PACKAGE  
SOT-23  
POWER  
75-200 Volts  
VOLTAGE  
FEATURES  
• Fast switching speed.  
• Surface mount package Ideally Suited for Automatic insertion  
• Electrically Identical to Standard JEDEC  
• High Conductance  
MECHANICAL DATA  
Case: SOT-23, Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Approx. Weight: 0.008 gram  
Marking: A6, A8, A80, A82  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
PARAMETER  
SYMBOL  
BAS16  
75  
BAS19  
BAS20  
150  
BAS21  
UNITS  
V
Reverse Voltage  
V
R
100  
120  
200  
2.5  
200  
250  
200  
2.5  
Peak Reverse Voltage  
V
RM  
100  
250  
2
200  
200  
2.5  
V
mA  
A
Rectified Current (Average), Half Wave Rectification with  
Resistive Load and f >=50 Hz  
IO  
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half  
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method)  
IFSM  
Power Dissipation Derate Above 25OC  
P
TOT  
350  
350  
350  
350  
mW  
V
@ I  
@ IF  
F
=10mA  
=100mA  
0.855  
-
-
-
-
Maximum Forward Voltage  
VF  
1.0  
1.0  
1.0  
Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage  
= 25OC  
I
R
1
2
6
0.1  
1.5  
50  
0.1  
1.5  
50  
0.1  
1.5  
50  
µA  
TJ  
Typical Junction Capacitance( Notes1)  
Maximum Reverse Recovery (Notes2)  
Maximum Thermal Resistance  
CJ  
pF  
TRR  
ns  
RθJA  
357  
-55 TO +125  
OC / W  
OC  
Storage Temperature Range  
TJ  
NOTE:  
SINGLE  
1. CJ at VR=0, f=1MHZ  
2.From IF=10mA to IR=1mA, VR=6Volts, RL=100Ω  
BAS16, BAS19, BAS20, BAS21  
Part Number: BAS16, BAS19, BAS20, BAS21  
PAGE 1  
123

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