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BAR43A PDF预览

BAR43A

更新时间： 2024-11-14 22:27:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管小信号肖特基二极管
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4页 57K
描述
SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES

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BAR43A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.26
Is Samacsys：N其他特性：FAST SWITCHING
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：0.75 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.25 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向电流：0.5 µA最大反向恢复时间：0.005 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：TIN/LEAD (SN/PB)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

BAR43A 数据手册

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BAR 42  
BAR 43, A, C, S  
SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES  
K
A
K1  
N.C.  
A
K2  
BAR42/BAR43  
BAR43A  
A1  
K2  
K
A1  
K1  
DESCRIPTION  
A2  
A2  
General purpose metal to silicon diodes featuring  
very low turn-on voltage and fast switching.  
BAR43C  
BAR43S  
SOT-23  
(Plastic)  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)  
Symbol  
VRRM  
IF  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
30  
Unit  
V
Continuous forward current  
100  
750  
250  
mA  
mA  
mW  
IFSM  
Ptot  
Surge non repetitive forward current  
Power dissipation (note 1)  
tp=10ms sinusoidal  
Tamb = 25°C  
Tstg  
Tj  
Maximum storage temperaturerange  
Maximum operating junction temperature *  
- 65 to +150  
150  
C
°
°C  
°C  
TL  
Maximum temperature for soldering during 10s  
260  
Note 1: for double diodes, Ptot is the total power dissipation of both diodes.  
1
dPtot  
dTj  
* :  
<
thermal runaway conditionfor a diode on its own heatsink  
Rth(j−a)  
THERMAL RESISTANCE  
Symbol  
Test conditions  
Value  
Unit  
Rth(j-a)  
Junction-ambient *  
500  
°C/W  
* Mounted on epoxy board with recommended pad layout.  
June 1999 - Ed: 2A  
1/4  
1234

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BAR43A 替代型号

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