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BAR43S

更新时间： 2024-01-19 19:59:01

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商升特 - SEMTECH		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
2页	181K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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BAR43S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	1 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
最大反向恢复时间：	0.005 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

BAR43S 数据手册

BAR43 / A / C / S

SCHOTTKY BARRIER DIODE

BAR43

BAR43A

BAR43C

BAR43S

SOT-23 Plastic Package

BAR43 Marking Code: RD

BAR43A Marking Code: RE

BAR43C Marking Code: RF

BAR43S Marking Code: RH

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

P_tot

Value

Unit

Maximum Repetitive Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current

Non-repetitive Peak Forward Surge Current at (t = 1 s)

Power Dissipation

200

750

290

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

430

C/W

R_θJA

T_J

150

T_S

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

V_(BR)R

Min.

Max.

Unit

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 100 μA

Reverse Current

at V_R= 25 V

I_R

500

Forward Voltage

at I_F= 2 mA

at I_F= 15 mA

at I_F= 100 mA

0.26

0.33

0.45

0.8

V_F

Reverse Recovery Time

at I_F= I_R= 10 mA, I_RR= 1 mA, R_L= 100 Ω

t_rr

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 10/09/2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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