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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.52 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 95 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 6000 ns | 最大开启时间（吨）： | 200 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BA1A4Z | RENESAS |
获取价格 |
100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| BA1A4Z | NEC |
获取价格 |
on-chip resistor PNP silicon epitaxial transistor |
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| BA1A4Z-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BA1A4Z-K | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BA1A4Z-P | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| BA1A4Z-Q | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BA1-B0-10-250-PB1-C | Carling Technologies |
获取价格 |
Magnetic Circuit Breaker, |
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| BA1-B0-10-420-1B1-C | Carling Technologies |
获取价格 |
Magnetic Circuit Breaker, |
|
| BA1-B0-10-450-1B1-C | Carling Technologies |
获取价格 |
Magnetic Circuit Breaker, |
|
| BA1-B0-10-450-5D1-C | Carling Technologies |
获取价格 |
Magnetic Circuit Breaker, |
|
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