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B772-O-TP

更新时间： 2024-11-12 21:00:19
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 252K
描述
Power Bipolar Transistor,

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B772-O-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.58湿度敏感等级：1
峰值回流温度（摄氏度）：260处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

B772-O-TP 数据手册

 浏览型号B772-O-TP的Datasheet PDF文件第2页 
B772-R  
B772-O  
B772-Y  
B772-GR  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
PNP Silicon  
Plastic-Encapsulate  
Transistor  
•
•
•
•
x
Capable of 1.25Watts of Power Dissipation.  
Collector-current 3.0A  
Collector-base Voltage 40V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
·
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
DPAK  
J
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
H
OFF CHARACTERISTICS  
V (BR)CEO  
V (BR)CBO  
V (BR)EBO  
I CBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
-30  
-40  
-6.0  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
1
2
3
C
I
O
(I =-10mAdc, I =0)  
C
B
F
4
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-100uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=-100uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-40Vdc, IE=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=-30Vdc, IB=0)  
E
---  
Vdc  
M
-1.0  
-10  
-1.0  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
V
K
ICEO  
---  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-6.0Vdc, IC=0)  
---  
G
ON CHARACTERISTICS  
h FE(1)  
V CE(sat)  
V BE(sat)  
DC Current Gain  
Q
(IC=-1.0Adc, VCE=-2.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-2.0Adc, IB=-0.2Adc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-2.0Adc, IB=-0.2Adc)  
60  
---  
---  
400  
-0.5  
-1.5  
---  
A
Vdc  
Vdc  
L
D
B
PIN 1. BASE  
PIN 2.4 COLLECTOR  
PIN 3. EMITTER  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
DIMENSIONS  
f T  
Transistor Frequency  
INCHES  
MAX  
(IC=-0.1Adc, VCE=-5.0Vdc, f=10MHz)  
50  
---  
MHz  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
MIN  
MAX  
2.40  
0.13  
0.86  
0.58  
6.70  
5.46  
NOTE  
0.087  
0.000  
0.026  
0.018  
0.256  
0.201  
0.094  
0.005  
0.034  
0.023  
0.264  
0.215  
2.20  
0.00  
0.66  
0.46  
6.50  
5.10  
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
F
G
H
I
J
K
L
0.190  
0.114  
4.83  
2.90  
Rank  
Range  
R
O
Y
GR  
200-400  
0.236  
0.086  
0.386  
0.244  
0.094  
0.409  
6.00  
2.18  
9.80  
6.20  
2.39  
10.40  
60-120  
100-200  
160-320  
0.055  
0.067  
1.40  
1.70  
M
0.063  
1.60  
1.10  
0.00  
5.35  
O
0.043  
0.051  
1.30  
Q
V
0.000  
0.012  
0.30  
0.211  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: B  
2013/01/01  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
B772-O-TP-HF MCC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor,
B772R MCC

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