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B772R(TO-92)

更新时间： 2024-09-25 03:00:11

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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描述
Transistor

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B772R(TO-92) 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

B772 TRANSISTOR（PNP）

TO-92

FEATURES

Power dissipation

P_CM

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

: 625

m W（Tamb=25℃）

1 2 3

MAXIMUM RATINGS* T_A=25℃ unless otherwise noted

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-40

-30

V_CEO

V_EBO

I_C

-6

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

-3

P_C

0.625

150

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

T_stg

-55-150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Ic=-100μA ，I_E=0

I_C= -10 mA , I_B=0

I_E= -100 μA，I_C=0

V_CB= -40 V , I_E=0

V_CE=-30 V , I_B=0

V_EB=-6V , I_C=0

-40

-30

-6

-1

-10

-1

μA

Collector cut-off current

I_CEO

Emitter cut-off current

I_EBO

h_FE

（）

_CE= -2V, I_C= -1A

400

DC current gain

h_FE

（）

V_CE=-2V, I_C= -100mA

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

I_C=-2A, I_B= -0.2A

-0.5

-1.5

V_CE= -5V, I_C=-0.1A

f = 10MHz

Transition frequency

MHz

f _T

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

60-120

100-200

160-320

200-400

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