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B125C800-LF

更新时间： 2024-02-14 23:54:22
品牌 Logo 应用领域
WTE 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.8A, 300V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, WOB, 4 PIN

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B125C800-LF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：O-PBCY-W3
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.84其他特性：HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：300 V外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PBCY-W3
湿度敏感等级：2最大非重复峰值正向电流：45 A
元件数量：4相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：300 V表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

B125C800-LF 数据手册

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WTE  
POWER SEMICONDUCTORS  
B40C800 – B500C800  
0.8A SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER  
Features  
Diffused Junction  
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Reliability  
High Surge Current Capability  
Ideal for Printed Circuit Boards  
Excellent Case Dielectric Strength  
A
B
+
~
~
-
WOB  
Min  
Dim  
A
Max  
9.10  
5.50  
—
8.60  
B
5.00  
C
D
C
21.90  
19.00  
0.69  
Mechanical Data  
D
—
Case: WOB, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
E
E
0.80  
5.60  
G
4.60  
~
All Dimensions in mm  
Polarity: As Marked on Body  
Weight: 1.1 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
-
+
G
G
~
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
B40C  
800  
B80C B125C B250C B380C B500C  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
800  
800  
800  
800  
800  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
100  
40  
200  
300  
600  
900  
1200  
V
Input Voltage Recommended  
VR(RMS)  
IO  
80  
125  
250  
380  
500  
V
A
Average Rectified Output Current (Note 1) @TA = 50°C  
0.8  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
45  
A
Forward Voltage (per element)  
@IF = 0.8A  
VFM  
IRM  
1.0  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 100°C  
5.0  
500  
µA  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Tj  
-55 to +125  
-55 to +150  
°C  
°C  
TSTG  
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
B40C800 – B500C800  
1 of 4  
© 2006 Won-Top Electronics  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
B125C800W MICRO-ELECTRONICS

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 300V V(RRM), Silicon, CASE R-6, 4 PIN
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