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B125D

更新时间: 2024-02-08 23:29:38
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管光电二极管IOT
页数 文件大小 规格书
2页 163K
描述
Si-Bridge Rectifiers

B125D 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-G4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.68
其他特性:UL RECOGNIZED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e2
最大非重复峰值正向电流:40 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:250 V表面贴装:YES
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

B125D 数据手册

 浏览型号B125D的Datasheet PDF文件第2页 
B 40D ... B 500D  
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Si-Bridge Rectifiers  
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Forward Current: 1,0 A  
Reverse Voltage: 80 to 1000 V  
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Features  
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ꢌꢉꢊ ꢇꢉꢘ ꢂꢋ :ꢓ 3Eꢛ  
Dimensions in mm  
1
24-03-2005 SCT  
© by SEMIKRON  

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