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B1100

更新时间： 2024-01-03 08:59:18
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管光电二极管瞄准线
页数 文件大小 规格书
2页 65K
描述
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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B1100 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.13Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.75 VJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：255认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

B1100 数据手册

 浏览型号B1100的Datasheet PDF文件第2页 
B170/B - B1100/B  
1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
·
·
·
·
Ideally Suited for Automatic Assembly  
Low Power Loss, High Efficiency  
Surge Overload Rating to 30A Peak  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Application  
High Temperature Soldering:  
260°C/10 Second at Terminal  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
SMA  
Min  
SMB  
Min  
B
Dim  
A
Max  
2.92  
4.60  
1.63  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.62  
Max  
3.94  
4.57  
2.21  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.62  
2.29  
4.00  
1.27  
0.15  
4.80  
0.10  
0.76  
2.01  
3.30  
4.06  
1.96  
0.15  
5.00  
0.10  
0.76  
2.00  
A
J
C
D
B
C
·
·
D
E
G
H
Mechanical Data  
G
H
J
E
All Dimensions in mm  
·
·
Case: SMA / SMB, Molded Plastic  
Terminals: Solder Plated Terminal -  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
SMA Weight: 0.064 grams (approx.)  
SMB Weight: 0.093 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
No Suffix Designates SMA Package  
“B” Suffix Designates SMB Package  
·
·
·
·
·
Marking: Type Number  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
B170/B  
70  
B180/B  
80  
B190/B  
90  
B1100/B  
100  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
49  
56  
63  
70  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TT = 125°C  
1.0  
30  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
A
Forward Voltage @ IF = 1.0A  
@ TA  
@ TA = 100°C  
@ TA 25°C  
@ TA = 100°C  
= 25°C  
0.79  
0.69  
VFM  
IRM  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
=
0.5  
5.0  
mA  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
80  
25  
pF  
K/W  
°C  
RqJT  
Typical Thermal Resistance Junction to Terminal (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Notes:  
1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
DS30018 Rev. B-2  
1 of 2  
B170/B - B1100/B  
12

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