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ATP218

更新时间： 2024-11-24 08:39:59

品牌	Logo	应用领域
三洋 - SANYO		开关通用开关
页数	文件大小	规格书
4页	394K
描述
General-Purpose Switching Device Applications

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ATP218 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
雪崩能效等级（Eas）：	235 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0038 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ATP218 数据手册

ATP218

Ordering number : EN8970

SANYO Sem iconductors

DATA S HEET

N-Channel Silicon MOSFET

General-Purpose Switching Device

Applications

ATP218

Features

•

ON-resistance R (on)1=2.9m (typ.)

2.5V drive

Input Capacitance Ciss=6600pF(typ.)

Halogen free compliance

•

Speciﬁcations

at Ta=25°C

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Drain Current (DC)

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

DSS

±10

GSS

100

Drain Current (PW 10 s)

PW 10 s, duty cycle 1%

300

≤

Allowable Power Dissipation

Channel Temperature

Tc=25 C

150

Tch

Storage Temperature

Tstg

--55 to +150

235

Avalanche Energy (Single Pulse) *1

Avalanche Current *2

Note : 1 V =15V, L=100 H, I =50A

2 L 100 H, Single pulse

≤

Package Dimensions

unit : mm (typ)

Product & Package Information

• Package

: ATPAK

7057-001

• JEITA, JEDEC

: -

• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel

1.5

6.5

4.6

2.6

Packing Type: TL

Marking

0.4

ATP218

LOT No.

Electrical Connection

2,4

0.55

0.8

0.6

1 : Gate

2 : Drain

0.4

2.3

3 : Source

4 : Drain

SANYO : ATPAK

http://semicon.sanyo.com/en/network

No.8970-1/4

51111PA TKIM TC-00002592

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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