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ATP218-TL-H

更新时间： 2024-01-05 14:41:04

品牌	Logo	应用领域
三洋 - SANYO		开关通用开关
页数	文件大小	规格书
7页	488K
描述
General-Purpose Switching Device Applications

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ATP218-TL-H 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Lifetime Buy
包装说明：	,	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.44	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES

ATP218-TL-H 数据手册

ATP218

Ordering number : EN8970A

SANYO Sem iconductors

DATA S HEET

N-Channel Silicon MOSFET

General-Purpose Switching Device

Applications

ATP218

Features

•

ON-resistance R (on)1=2.9m (typ.)

2.5V drive

Protection diode in

Input Capacitance Ciss=6600pF(typ.)

Halogen free compliance

•

Speciﬁcations

at Ta=25°C

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Drain Current (DC)

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

DSS

±10

GSS

100

Drain Current (PW 10 s)

PW 10 s, duty cycle 1%

300

≤

Allowable Power Dissipation

Channel Temperature

Tc=25 C

150

Tch

Storage Temperature

Tstg

--55 to +150

235

Avalanche Energy (Single Pulse) *1

Avalanche Current *2

Note : 1 V =15V, L=100 H, I =50A

2 L 100 H, Single pulse

≤

Package Dimensions

unit : mm (typ)

Product & Package Information

• Package

: ATPAK

7057-001

• JEITA, JEDEC

: -

• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel

ATP218-TL-H

1.5

6.5

4.6

2.6

Packing Type: TL

Marking

0.4

ATP218

LOT No.

Electrical Connection

2,4

0.55

0.8

0.6

1 : Gate

0.4

2.3

2 : Drain

3 : Source

4 : Drain

SANYO : ATPAK

http://semicon.sanyo.com/en/network

62012 TKIM/51111PA TKIM TC-00002592

No.8970-1/7

12 3 4 5 6 7

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与ATP218-TL-H相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ATP220SM	CTS	Surface Mount Quartz Crystal	获取价格
ATP220SM-1	CTS	Series - Fundamental Quartz Crystal, 22.1184MHz Nom, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4	获取价格
ATP22ASM	CTS	Surface Mount Quartz Crystal	获取价格
ATP22ASM-1	CTS	暂无描述	获取价格
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