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ATP218-TL-H

更新时间： 2024-02-06 20:20:49
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 开关通用开关
页数 文件大小 规格书
7页 488K
描述
General-Purpose Switching Device Applications

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ATP218-TL-H 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Lifetime Buy
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.44配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES

ATP218-TL-H 数据手册

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ATP218  
at Ta=25°C  
Electrical Characteristics  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=1mA, V =0V  
30  
V
μA  
μA  
V
(BR)DSS  
D
GS  
=30V, V =0V  
I
I
V
V
V
V
1
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
=±8V, V =0V  
DS  
±10  
1.3  
GSS  
V
(off)  
GS  
=10V, I =1mA  
0.5  
D
Forward Transfer Admittance  
| yfs |  
=10V, I =50A  
260  
2.9  
S
D
R
R
(on)1  
(on)2  
I
I
=50A, V =4.5V  
GS  
3.8  
5.6  
mΩ  
mΩ  
pF  
pF  
pF  
ns  
DS  
D
D
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
=25A, V =2.5V  
GS  
4.0  
DS  
Input Capacitance  
Ciss  
6600  
780  
600  
88  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-ON Delay Time  
Rise Time  
Coss  
Crss  
V
=10V, f=1MHz  
DS  
t (on)  
d
t
960  
340  
320  
70  
ns  
r
See specified Test Circuit.  
Turn-OFF Delay Time  
Fall Time  
t (off)  
d
ns  
t
ns  
f
Total Gate Charge  
Qg  
nC  
nC  
nC  
V
Gate-to-Source Charge  
Gate-to-Drain “Miller” Charge  
Diode Forward Voltage  
Qgs  
Qgd  
V
=15V, V =4.5V, I =100A  
GS  
20  
DS  
D
14  
V
SD  
I =100A, V =0V  
GS  
0.91  
1.2  
S
Switching Time Test Circuit  
V
IN  
V =15V  
DD  
4.5V  
0V  
I =50A  
D
V
IN  
R =0.3Ω  
L
D
V
OUT  
PW=10μs  
D.C.≤1%  
G
ATP218  
P. G  
50Ω  
S
Ordering Information  
Device  
Package  
ATPAK  
Shipping  
3,000pcs./reel  
memo  
ATP218-TL-H  
Pb Free and Halogen Free  
No.8970-2/7  
1234567

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