Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> ATF-58143-TR2

ATF-58143-TR2

更新时间： 2024-11-30 22:47:59

品牌	Logo	应用领域
安捷伦 - AGILENT		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
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10页	150K
描述
Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package

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ATF-58143-TR2 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.11
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	5 V	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY	最高频带：	C BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	0.5 W
最小功率增益 (Gp)：	15 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET RF Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ATF-58143-TR2 数据手册

Agilent ATF-58143 Low Noise

Enhancement Mode

Pseudomorphic HEMT in a

Surface Mount Plastic Package

Data Sheet

Features

• Low noise and high linearity

performance

• Enhancement Mode Technology^[1]

• Excellent uniformity in product

specifications

• Low cost surface mount small

plastic package SOT-343 (4 lead

SC-70) in Tape-and-Reel packaging

option available

Surface Mount Package

SOT-343

Description

Agilent Technologies’s

ATF-58143 is a high dynamic

range, low noise E-PHEMT

housed in a 4-lead SC-70

(SOT-343) surface mount plastic

package.

• Lead-free option available

Specifications

2 GHz; 3V, 30 mA (Typ.)

The combination of high gain,

high linearity and low noise

makes the ATF-58143 ideal as

low noise amplifier for cellular/

PCS/WCDMA base stations,

wireless local loop, and other

applications that require low

noise and high linearity perfor-

mance in the 450 MHz to 6 GHz

frequency range.

• 30.5 dBm output 3^rdorder intercept

• 19 dBm output power at 1 dB

• 0.5 dB noise figure

Pin Connections and

Package Marking

DRAIN

SOURCE

GATE

• 16.5 dB associated gain

SOURCE

Applications

• Q1 LNA for cellular/PCS/WCDMA

base stations

Note:

Top View. Package marking provides orientation

and identification

• Q1, Q2 LNA and Pre-driver

amplifier for 3–4 GHz WLL

“8F” = Device Code

• Other low noise and high linearity

applications at 450 MHz to 6 GHz

“x” = Date code character

identifies month of manufacture.

Note:

1. Enhancement mode technology requires

positive Vgs, thereby eliminating the need for

the negative gate voltage associated with

conventional depletion mode devices.

Attention:

Observe precautions for

handling electrostatic

sensitive devices.

ESD Machine Model (Class A)

ESD Human Body Model (Class 0)

Refer to Agilent Application Note A004R:

Electrostatic Discharge Damage and Control.

12 3 4 5 6 7...10

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