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ATF587

更新时间： 2024-12-02 01:16:31
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FAST SWITCHING THYRISTOR

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ATF587 数据手册

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POSEICO  
POSEICO SPA  
POwer SEmiconductors Italian COrporation  
FAST SWITCHING THYRISTOR  
ATF587  
Repetitive voltage up to  
Mean on-state current  
Surge current  
1200 V  
350 A  
5 kA  
FINAL SPECIFICATION  
Turn-off time  
25 µs  
mag 06 - ISSUE : 5  
Tj  
Symbol  
Characteristic  
Conditions  
Value  
Unit  
[°C]  
BLOCKING  
V RRM  
V RSM  
V DRM  
I RRM  
I DRM  
Repetitive peak reverse voltage  
Non-repetitive peak reverse voltage  
Repetitive peak off-state voltage  
Repetitive peak reverse current  
Repetitive peak off-state current  
125  
125  
125  
125  
125  
1200  
1300  
1200  
40  
V
V
V
V=VRRM  
V=VDRM  
mA  
mA  
40  
CONDUCTING  
I T (AV)  
I T (AV)  
I TSM  
Mean on-state current  
Mean on-state current  
Surge on-state current, non repetitive  
I² t  
180°sin, 50 Hz, Th=55°C, double side cooled  
180°sin, 500 Hz, Th=55°C, double side cooled  
sine wave, 10 ms  
350  
A
A
315  
125  
4,5  
kA  
I² t  
without reverse voltage  
101 x1E3  
2,15  
A²s  
V
V T  
On-state voltage  
On-state current =  
800 A  
25  
V
T(TO)  
Threshold voltage  
125  
1,38  
V
r T  
On-state slope resistance  
125 0,830  
mohm  
SWITCHING  
di/dt  
dv/dt  
td  
Critical rate of rise of on-state current, min  
Critical rate of rise of off-state voltage, min  
Gate controlled delay time, typical  
From 75% VDRM up to 900 A, gate 20V 10 ohm  
Linear ramp up to 70% of VDRM  
125  
125  
25  
200  
500  
0,4  
25  
A/µs  
V/µs  
µs  
VD=100V, gate source 20V, 10 ohm , tr=1 µs  
tq  
Circuit commutated turn-off time  
di/dt = 20  
dV/dt = 200 V/µs , up to 75% VDRM  
di/dt = 60 A/µs, I I = 1000  
VR = 50  
A/µs, I I = 250  
A
125  
µs  
Q
rr  
I rr  
I H  
I L  
Reverse recovery charge  
Peak reverse recovery current  
Holding current, typical  
A
125  
190  
139  
45  
µC  
A
V
VD=5V, gate open circuit  
VD=12V, tp=30µs  
25  
25  
mA  
mA  
Latching current, typical  
70  
GATE  
V GT  
I GT  
Gate trigger voltage  
VD=5V  
25  
25  
125  
25  
25  
25  
25  
25  
3,5  
350  
0,25  
30  
V
mA  
V
Gate trigger current  
VD=5V  
V GD  
Non-trigger gate voltage, min.  
Peak gate voltage (forward)  
Peak gate current  
VD=VDRM  
V
FGM  
FGM  
RGM  
GM  
V
I
10  
A
V
P
P
Peak gate voltage (reverse)  
Peak gate power dissipation  
Average gate power dissipation  
5
V
Pulse width 100 µs  
150  
3
W
W
G(AV)  
MOUNTING  
R th(j-h)  
Thermal impedance, DC  
Junction to heatsink, double side cooled  
95  
°C/kW  
°C  
T
F
j
Operating junction temperature  
Mounting force  
-30 / 125  
4.5 / 5.0  
55  
kN  
Mass  
g
tq code  
D 10 µs C 12 µs B 15 µs A 20 µs L 25 µs  
M 30 µs N 35 µs P 40 µs R 45 µs S 50 µs  
T 60 µs U 70 µs W 80 µs X 100µs Y 150µs  
tq code  
ORDERING INFORMATION : ATF587 S 12 L  
VDRM&VRRM/100  
standard specification  
123

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