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AT93C46DN-SP25-B

更新时间： 2024-11-27 21:17:15

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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17页	708K
描述
EEPROM, 64X16, Serial, PDSO8

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AT93C46DN-SP25-B 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	0.150 INCH, HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC, MS-012, SOIC-8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.55
备用内存宽度：	8	最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	4.9 mm
内存密度：	1024 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	64 words
字数代码：	64	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	64X16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
串行总线类型：	3-WIRE	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	3.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

AT93C46DN-SP25-B 数据手册

AT93C46D

3-wire Automotive Temperature Serial EEPROMs

1K (128 x 8 or 64 x 16)

DATASHEET

Features

 Medium-voltage and Standard-voltage Operation

2.5 (V_CC= 2.5V to 5.5V)

 User-selectable Internal Organization

1K: 128 x 8 or 64 x 16

 3-wire Serial Interface

 2MHz Clock Rate (5V)

 Self-timed Write Cycle (10ms max)

 High Reliability

Endurance: 1,000,000 Write Cycles

Data Retention: 100 Years

 8-lead JEDEC SOIC and TSSOP Packages

Description

The AT93C46D provides 1,024 bits of serial electrically erasable programmable

read only memory (EEPROM) organized as 64 words of 16 bits each, when the

ORG pin is connected to V_CCand 128 words of 8 bits each when it is tied to

ground. The device is optimized for use in many automotive applications where

low power and low voltage operations are essential. The AT93C46D is available

in space-saving 8-lead TSSOP and 8-lead JEDEC SOIC packages. The

AT93C46D is enabled through the Chip Select pin (CS), and accessed via a

3-wire serial interface consisting of Data Input (DI), Data Output (DO), and Shift

Clock (SK). Upon receiving a READ instruction at DI, the address is decoded and

the data is clocked out serially on the data output pin DO. The WRITE cycle is

completely self-timed and no separate erase cycle is required before write. The

Write cycle is only enabled when it is in the Erase/Write Enable state. When CS is

brought “high” following the initiation of a write cycle, the DO pin outputs the

Ready/Busy status.

Atmel-8674C-SEEPROM-AT93C46D-Automotive-Datasheet_102014

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AT93C46DN-SP25-T	MICROCHIP	获取价格	EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC, MS-012, SO
AT93C46D-PU	ATMEL	获取价格	Three-wire Serial EEPROM 1K (128 x 8 or 64 x 16)
AT93C46D-PU-B	MICROCHIP	获取价格	EEPROM
AT93C46D-TH-B	ATMEL	获取价格	Three-wire Serial EEPROM 1K (128 x 8 or 64 x 16)
AT93C46D-TH-E	MICROCHIP	获取价格	EEPROM
AT93C46D-TH-T	ATMEL	获取价格	Three-wire Serial EEPROM 1K (128 x 8 or 64 x 16)
AT93C46D-TP25-T	MICROCHIP	获取价格	EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, 4.4 MM, HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC, MO-153, TSSOP-
AT93C46DU3-UU-B	MICROCHIP	获取价格	EEPROM
AT93C46DU3-UU-E	MICROCHIP	获取价格	EEPROM
AT93C46DU3-UU-T	ATMEL	获取价格	Three-wire Serial EEPROM 1K (128 x 8 or 64 x 16)

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