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AT28C256E-30LM/883

更新时间： 2024-11-09 20:11:59

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
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14页	764K
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EEPROM, 32KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CQCC32

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AT28C256E-30LM/883 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	QCCN, LCC32,.45X.55	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.49	最长访问时间：	300 ns
其他特性：	HARDWARE & SOFTWARE DATA PROTECTION; DATA RETENTION = 10 YEARS	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC32,.45X.55	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	页面大小：	64 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	2.54 mm	最大待机电流：	0.0003 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	YES
宽度：	11.43 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

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