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AT27C256R-70RK

更新时间： 2024-01-26 05:57:29

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美国微芯 - MICROCHIP		OTP只读存储器 ATM 异步传输模式光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	402K
描述
OTP ROM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-28

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AT27C256R-70RK 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.61
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e3	长度：	18.25 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.79 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	8.69 mm

AT27C256R-70RK 数据手册

6. Operating Modes

Mode/Pin

V_IL

V_IH

V_IL

V_IH

V_PP

V_CC

V_PP

V_CC

V_PP

Outputs

D_OUT

Read

Output Disable

Standby

X⁽¹⁾

High Z

D_IN

X⁽¹⁾

Rapid Program⁽²⁾

PGM Verify⁽²⁾

Optional PGM Verify⁽²⁾

PGM Inhibit⁽²⁾

V_IH

V_IL

V_IH

X⁽¹⁾

D_OUT

V_IL

V_IH

D_OUT

X⁽¹⁾

High Z

(3)

A9 = V_H

Product Identification⁽⁴⁾

V_IL

A0 = V_IHor V_IL

A1 - A14 = V_IL

V_CC

Identification Code

Notes: 1. X can be V_ILor V_IH.

2. Refer to Programming Characteristics.

3. V_H= 12.0 0.5V.

4. Two identifier bytes may be selected. All Ai inputs are held low (V_IL), except A9 which is set to V_Hand A0 which is toggled

low (V_IL) to select the Manufacturer’s Identification byte and high (V_IH) to select the Device Code byte.

7. DC and AC Operating Conditions for Read Operation

AT27C256R

-45

-70

Operating Temp. (Case)

Ind.

-40°C - 85°C

-40°C - 85° C

-40°C - 125°C

5V 10%

Auto.

V_CCSupply

5V 10%

8. DC and Operating Characteristics for Read Operation

Symbol

Parameter

Condition

Min

Max

Units

µA

Ind.

I_LI

Input Load Current

V_IN= 0V to V_CC

Auto.

Ind.

I_LO

Output Leakage Current

V_OUT= 0V to V_CC

Auto.

(2)

I_PP1

V_PP⁽¹⁾Read/Standby Current V_PP= V_CC

_SB1(CMOS), CE = V_CC0.3V

100

I_SB

V_CC⁽¹⁾Standby Current

I_SB2(TTL), CE = 2.0 to V_CC+ 0.5V

f = 5 MHz, I_OUT= 0 mA, E = V_IL

I_CC

V_CCActive Current

Input Low Voltage

Input High Voltage

Output Low Voltage

Output High Voltage

V_IL

-0.6

2.0

0.8

V_IH

V_OL

V_OH

V_CC+ 0.5

0.4

I_OL= 2.1 mA

I_OH= -400 µA

2.4

Notes: 1. V_CCmust be applied simultaneously with or before V_PP, and removed simultaneously with or after V_PP..

2. V_PPmay be connected directly to V_CC, except during programming. The supply current would then be the sum of I_CCand I_PP.

AT27C256R

0014M–EPROM–12/07

1 2 345 6 7...15

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