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AT27C256R-70RK

更新时间： 2024-01-13 15:43:05

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美国微芯 - MICROCHIP		OTP只读存储器 ATM 异步传输模式光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	402K
描述
OTP ROM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-28

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AT27C256R-70RK 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.61
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e3	长度：	18.25 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.79 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	8.69 mm

AT27C256R-70RK 数据手册

AT27C256R

14. Programming Waveforms⁽¹⁾

Notes: 1. The Input Timing Reference is 0.8V for V_ILand 2.0V for V_IH.

2. t_OEand t_DFPare characteristics of the device but must be accommodated by the programmer.

3. When programming the AT27C256R a 0.1 µF capacitor is required across V_PPand ground to suppress spurious voltage

transients.

15. DC Programming Characteristics

T_A= 25 5°C, V_CC= 6.5 0.25V, V_PP= 13.0 0.25V

Limits

Symbol

I_LI

Parameter

Test Conditions

Min

Max

Units

µA

Input Load Current

Input Low Level

V_IN= V_IL,V_IH

V_IL

-0.6

2.0

0.8

V_IH

Input High Level

V_CC+ 1

0.4

V_OL

V_OH

I_CC2

I_PP2

V_ID

Output Low Volt

I_OL= 2.1 mA

Output High Volt

I_OH= -400 µA

2.4

V_CCSupply Current (Program and Verify)

V_PPCurrent

CE = V_IL

A9 Product Identification Voltage

11.5

12.5

0014M–EPROM–12/07

1...4 5 678 9 10...15

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