是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | HVSON, SOLCC8,.25 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.71 |
最大时钟频率 (fCLK): | 5 MHz | 数据保留时间-最小值: | 100 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-XDSO-N8 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 6 mm |
内存密度: | 131072 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 16384 words | 字数代码: | 16000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 16KX8 |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | HVSON |
封装等效代码: | SOLCC8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 0.9 mm |
串行总线类型: | SPI | 最大待机电流: | 0.000003 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.01 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 4.9 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms | 写保护: | HARDWARE/SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT25128B | ATMEL |
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serial electrically-erasable programmable read only memory | |
AT25128B | MICROCHIP |
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The Microchip AT25128B is a 128 Kb Serial EEPROM utilizing theindustry standard Serial Per | |
AT25128B-CUL-T | ATMEL |
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serial electrically-erasable programmable read only memory | |
AT25128B-CUL-T | MICROCHIP |
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IC EEPROM 128KBIT 20MHZ 8VFBGA | |
AT25128B-MAHL-E | MICROCHIP |
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EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8 | |
AT25128B-MAHL-T | ATMEL |
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serial electrically-erasable programmable read only memory | |
AT25128B-MAHL-T | MICROCHIP |
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IC EEPROM 128KBIT 20MHZ 8UDFN | |
AT25128B-SSHL-B | ATMEL |
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serial electrically-erasable programmable read only memory | |
AT25128B-SSHL-B | MICROCHIP |
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IC EEPROM 128KBIT 20MHZ 8SOIC | |
AT25128B-SSHL-T | ATMEL |
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serial electrically-erasable programmable read only memory |