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AS8E128K32N-120/883C

更新时间： 2022-12-18 03:59:43

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AUSTIN		存储可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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13页	283K
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128K x 32 EEPROM EEPROM Memory Array

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AS8E128K32N-120/883C 数据手册

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EEPROM

AS8E128K32

Austin Semiconductor, Inc.

DATA POLLING CHARACTERISTICS⁽¹⁾

Symbol Parameter

Min

Max

Units

t_DH

t_OEH

t_OE

Data Hold Time

OE\ Hold Time

OE\ to Output Delay ⁽²⁾

Write Recovery Time

100

t_WR

NOTES: 1. These parameters are characterized and not 100% tested.

2. See AC Read Characteristics.

DATA POLLING WAVEFORMS

WE\

CE\

OEH

OE\

High-Z

I/O7

A0 - A16

TOGGLE BIT CHARACTERISTICS⁽¹⁾

Symbol

t_DH

Parameter

Data Hold Time

Min

Max

Units

t_OEH

t_OE

OE\ Hold Time

OE\ to Output Delay⁽²⁾

100

t_OEPH

OE\ High Pulse

150

OEHP

I_CC

Write Recovery Time

NOTES: 1. These parameters are characterized and not 100% tested.

2. See AC Read Characteristics.

TOGGLE BIT WAVEFORMS^(1,2,3)

WE\

CE\

t_OEH

t_OEHP

tOEH

OE\

t_WR

t_DH

tOE

tWR

HIGH Z

I/O 6

NOTES:

1. Toggling either OE or CE or Both OE and CE will operate toggle bit.

2. Beginning and ending state of I/O6 will vary.

3. Any address location may be used but the address should not vary.

Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

AS8E128K32

Rev. 7.6 06/05

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