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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | PGA |
| 包装说明： | 1.075 X 1.075 INCH, CERAMIC, PGA-66 | 针数： | 66 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.48 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 120 ns |
| 其他特性： | CONFIGURABLE AS 512K X 8 | 备用内存宽度： | 16 |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-CPGA-P66 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 27.3 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 66 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 128KX32 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | PGA | 封装等效代码： | PGA66,11X11 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 页面大小： | 128 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.5974 mm | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.25 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | PERPENDICULAR |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | YES |
| 宽度： | 27.3 mm | 写保护： | SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS8E128K32P-120/883C | AUSTIN | 128K x 32 EEPROM Memory Array |
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| AS8E128K32P-120/IT | AUSTIN | 128K x 32 EEPROM EEPROM Memory Array |
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| AS8E128K32P-120/XT | AUSTIN | 128K x 32 EEPROM EEPROM Memory Array |
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| AS8E128K32P-125/883C | ETC | x32 EEPROM Module |
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| AS8E128K32P-125/IT | ETC | x32 EEPROM Module |
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| AS8E128K32P-125/XT | ETC | x32 EEPROM Module |
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