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AS8E128K32N-120/883C

更新时间： 2022-12-18 03:59:43

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AUSTIN		存储可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
13页	283K
描述
128K x 32 EEPROM EEPROM Memory Array

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AS8E128K32N-120/883C 数据手册

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EEPROM

AS8E128K32

Austin Semiconductor, Inc.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RECOMMENDED AC WRITE CHARACTERISTICS

(-55^oC < T_A< +125^oC; Vcc = 5V +10%)

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

Write Cyce Time

Address Set-up Time

Address Hold Time

Data Set-up Time

Data Hold Time

µs

t_WC

t_AS

100

t_AH

t_DS

t_DH

Write Pulse Width

Byte Load Cycle Time

Write Pulse Width High

t_WP

t_BLC

t_WPH

150

WRITE CYCLE NO 1.

(Chip Enable Controlled)

t_OEH

tOES

tOEH

OES

OE\

t_WC

tWC

t_AH

tAH

t_AS

tAS

ADDRESS VALID

ADDRESS

t_CH

tCS

tCH

WE\

CE\

t_WP

t_WPH

tWP

tWPH

t_DS

tDS

t_DH

tDH

DATA VALID

OE\

WRITE CYCLE NO 2.

(Write Enable Controlled)

tOES

OES

tOEH

OEH

tAH

t^AA^SS

ADDRESS

CE\

t_CS

tCH

tCS

_tt_WPH

tWP

WPH

WE\

tDS

tDH

DATA VALID

Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

AS8E128K32

Rev. 7.6 06/05

1...3 4 567 8 9...13

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