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AS7C512L-12JC

更新时间: 2024-01-21 08:03:56
品牌 Logo 应用领域
ALSC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 286K
描述
Standard SRAM, 64KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32

AS7C512L-12JC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ, SOJ32,.34针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.87
最长访问时间:12 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J32JESD-609代码:e0
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ32,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.12 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

AS7C512L-12JC 数据手册

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High Performance  
64K×8  
AS7C512  
AS7C512L  
CMOS SRAM  
®
64K×8 CMOS SRAM  
Features  
• Easy memory expansion with CE1, CE2, OE inputs  
• Organization: 65,536 words × 8 bits  
• TTL-compatible, three-state I/O  
- 32-pin JEDEC standard packages  
- 300 mil PDIP and SOJ  
Socket compatible with 7C256 and 7C1024  
- 525 mil SOIC  
• High speed  
- 12/15/20/25/35 ns address access time  
- 3/4/5/6/8 ns output enable access time  
• Low power consumption  
- Active: 688 mW max (12 ns cycle)  
- Standby:27.5 mW max, CMOS I/O  
4.25 mW max, CMOS I/O, L version  
- Very low DC component in active power  
• 2.0V data retention (L version)  
• Equal access and cycle times  
• ESD protection > 2000 volts  
• Latch-up current > 200 mA  
Logic block diagram  
Pin arrangement  
TSOP 8×20  
DIP, SOJ, SOIC  
Vcc  
GND  
NC  
NC  
A14  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
GND  
1
2
3
4
5
6
7
8
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
Vcc  
A15  
CE2  
WE  
A13  
A8  
A9  
A11  
OE  
A10  
CE1  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
Input buffer  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
I/O7  
I/O0  
256×256×8  
Array  
(524,288)  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
WE  
OE  
Column decoder  
Control  
circuit  
CE1  
CE2  
A
8
A A A A A A A  
9 10 11 12 13 14 15  
Selection guide  
7C512-12 7C512-15 7C512-20 7C512-25 7C512-35  
Unit  
ns  
Maximum address access time  
Maximum output enable access time  
Maximum operating current  
12  
3
15  
4
20  
5
25  
6
35  
8
ns  
125  
5.0  
0.75  
115  
5.0  
0.75  
105  
5.0  
0.75  
95  
80  
mA  
mA  
mA  
5.0  
0.75  
5.0  
0.75  
Maximum CMOS standby current  
L
ALLIANCE SEMICONDUCTOR  

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