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AS7C513-20

更新时间: 2024-02-06 15:23:10
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ALSC 存储静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 191K
描述
5V/3.3V 32Kx6 CMOS SRAM

AS7C513-20 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:44
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.61
Is Samacsys:N最长访问时间:20 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
长度:18.41 mm内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:44
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

AS7C513-20 数据手册

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March 2001  
AS7C513  
AS7C3513  
®
5V/3.3V 32K×16 CMOS SRAM  
Features  
• AS7C513 (5V version)  
• AS7C3513 (3.3V version)  
• Low power consumption: STANDBY  
- 28 mW (AS7C513) / max CMOS  
- 18 mW (AS7C3513) / max CMOS  
• 2.0V data retention  
• Easy memory expansion with CE, OE inputs  
• TTL-compatible, three-state I/O  
• 44-pin JEDEC standard package  
- 400 mil SOJ  
- 400 mil TSOP II  
• ESD protection 2000 volts  
• Latch-up current 200 mA  
• Industrial and commercial temperature  
• Organization: 32,768 words × 16 bits  
• Center power and ground pins  
• High speed  
- 12/15/20 ns address access time  
- 6,7,8 ns output enable access time  
• Low power consumption: ACTIVE  
- 800 mW (AS7C513) / max @ 12 ns  
- 432 mW (AS7C3513) / max @ 12 ns  
Logic block diagram  
Pin arrangement  
A0  
A1  
A2  
44-Pin SOJ, TSOP II (400 mil)  
V
CC  
32K × 16  
Array  
GND  
NC  
A3  
1
2
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A4  
A5  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
A2  
3
A6  
A1  
4
OE  
A0  
5
UB  
CE  
6
LB  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
7
8
9
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O0–I/O7  
I/O  
buffer  
Control circuit  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
I/O8–I/O15  
V
CC  
GND  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
WE  
A14  
A13  
A12  
A11  
NC  
V
CC  
Column decoder  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
I/O8  
NC  
A7  
A8  
A9  
A10  
NC  
WE  
UB  
OE  
LB  
CE  
Selection guide  
AS7C513-12  
AS7C513-15  
AS7C513-20  
AS7C3513-12  
AS7C3513-15  
AS7C3513-20  
Unit  
ns  
Maximum address access time  
12  
5
15  
7
20  
9
Maximum output enable access time  
ns  
AS7C513  
AS7C3513  
AS7C513  
AS7C3513  
160  
120  
5
150  
110  
5
140  
100  
5
mA  
mA  
mA  
mA  
Maximum operating current  
Maximum CMOS standby current  
5
5
5
Shaded areas indicate advance information.  
3/23/01; v.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 1 of 10  
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