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AS7C34096-20JCN

更新时间: 2024-02-28 22:25:13
品牌 Logo 应用领域
ALSC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管ISM频段
页数 文件大小 规格书
9页 247K
描述
5V/3.3V 512K X8 CMOS SRAM

AS7C34096-20JCN 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:44
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.66
Is Samacsys:N最长访问时间:20 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e3/e6
长度:18.415 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:44
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:MATTE TIN/TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

AS7C34096-20JCN 数据手册

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AS7C4096  
AS7C34096  
®
Write cycle (over the operating range)11  
–10  
–12  
–15  
–20  
Parameter  
Write cycle time  
Symbol Min  
Max  
Min  
12  
8
Max  
Min  
15  
10  
10  
0
Max  
Min  
20  
12  
12  
0
Max Unit Notes  
t
t
t
10  
7
9
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
WC  
CW  
AW  
Chip enable (CE) to write end  
Address setup to write end  
Address setup time  
7
8
t
0
0
AS  
Write pulse width (OE = high)  
Write pulse width (OE = low  
Address hold from end of write  
Write recovery time  
t
t
7
8
10  
15  
0
12  
20  
0
WP1  
WP2  
10  
0
12  
0
t
AH  
WR  
DW  
t
0
0
0
0
Data valid to write end  
t
5
6
7
9
Data hold time  
t
0
0
0
0
4, 5  
4, 5  
4, 5  
DH  
WZ  
OW  
Write enable to output in high Z  
Output active from write end  
t
0
5
0
6
0
7
0
t
3
3
3
3
Write waveform 1 (WE controlled)10,11  
tWC  
tAW  
tWR  
tAH  
Address  
tWP  
WE  
tAS  
tDW  
Data valid  
tDH  
DIN  
tWZ  
tOW  
DOUT  
Write waveform 2 (CE controlled)10,11  
tWC  
tWR  
tAH  
tAW  
Address  
tAS  
tCW  
CE  
tWP  
WE  
tWZ  
tDW  
tDH  
DIN  
Data valid  
DOUT  
1/13/05; v.1.9  
Alliance Semiconductor  
P. 5 of 9  

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