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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | LBGA, | 针数： | 119 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.63 |
| 最长访问时间： | 12 ns | 其他特性： | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 22 mm | 内存密度： | 9437184 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 119 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256KX36 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.7 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS7C33256PFS36A-133BC | ALSC | Standard SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119 |
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| AS7C33256PFS36A-133BI | ISSI | Standard SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119 |
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| AS7C33256PFS36A-133TQC | ALSC | 3.3V 256K x 32/36 pipelined burst synchronous SRAM |
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| AS7C33256PFS36A-133TQCN | ALSC | 3.3V 256K x 32/36 pipelined burst synchronous SRAM |
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| AS7C33256PFS36A-133TQI | ALSC | 3.3V 256K x 32/36 pipelined burst synchronous SRAM |
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| AS7C33256PFS36A-133TQIN | ALSC | 3.3V 256K x 32/36 pipelined burst synchronous SRAM |
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