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AS7C33256PFS32A-133TQCN

更新时间： 2024-01-31 03:24:46

品牌	Logo	应用领域
ALSC		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
20页	528K
描述
3.3V 256K x 32/36 pipelined burst synchronous SRAM

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AS7C33256PFS32A-133TQCN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP,
针数：	100	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.35	最长访问时间：	10 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e3	长度：	20 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	245	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

AS7C33256PFS32A-133TQCN 数据手册

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AS7C33256PFS32A

AS7C33256PFS36A

Write enable truth table (per byte)

Function

GWE BWE

BWa

BWb

BWc

BWd

Write All Bytes

Write Byte a

Write Byte c and d

Read

Key: X = don’t care, L = low, H = high, n = a, b, c, d; BWE, BWn = internal write signal.

Asynchronous Truth Table

Operation

Snooze mode

I/O Status

High-Z

Dout

Read

High-Z

Write

Din, High-Z

High-Z

Deselected

Burst order table

Interleaved Burst Order (LBO=1)

A1 A0 A1 A0 A1 A0 A1 A0

Linear Burst Order (LBO=0)

A1 A0 A1 A0 A1 A0 A1 A0

Starting Address

First increment

0 0

0 1

1 0

1 1

0 1

0 0

1 1

1 0

1 1

0 0

0 1

1 1

1 0

0 1

0 0

Starting Address

First increment

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1 1

0 1

1 0

1 1

0 0

1 0

1 1

0 0

0 1

1 1

0 0

0 1

1 0

Second increment

Third increment

Second increment

Third increment

11/30/04, v.3.1

Alliance Semiconductor

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