是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | LQFP, QFP100,.63X.87 |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.37 | 最长访问时间: | 3.5 ns |
其他特性: | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX36 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装等效代码: | QFP100,.63X.87 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 3.14 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.475 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
AS7C33256PFD36A-166TQIN | ALSC | 3.3V 256K x 32/36 pipelined burst synchronous SRAM |
获取价格 |
|
AS7C33256PFD36A-183TQC | ISSI | Cache SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
获取价格 |
|
AS7C33256PFD36A-183TQI | ISSI | Cache SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
获取价格 |
|
AS7C33256PFD36A2-100BC | ALSC | SRAM |
获取价格 |
|
AS7C33256PFD36A2-100BI | ALSC | SRAM |
获取价格 |
|
AS7C33256PFD36A2-100TQC | ALSC | Standard SRAM, 256KX36, 12ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
获取价格 |