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AS7C25512PFD32A-200BI PDF预览

AS7C25512PFD32A-200BI

更新时间： 2024-11-24 15:27:59
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 92K
描述
Standard SRAM, 512KX32, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

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AS7C25512PFD32A-200BI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA,针数：119
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.65
最长访问时间：3 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B119
JESD-609代码：e0长度：22 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：32功能数量：1
端子数量：119字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：SYNCHRONOUS
组织：512KX32封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.7 mm标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
端子面层：TIN LEAD端子形式：BALL
端子节距：1.27 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：14 mm
Base Number Matches：1

AS7C25512PFD32A-200BI 数据手册

 浏览型号AS7C25512PFD32A-200BI的Datasheet PDF文件第2页 
October 2001  
Advanced Information  
AS7C25512PFD32A  
AS7C25512PFD36A  
®
2.5V 512K × 32/36 pipeline burst synchronous SRAM  
Features  
• 100-pin TQFP package  
• 119-Ball BGA (7 x 17 Ball Grid Array Package)  
• Byte write enables  
• Multiple chip enables for easy expansion  
• 2.5V core power supply  
• Organization: 524,288 words x 32/36 bits  
• Fast clock speeds to 200MHz in LVTTL/LVCMOS  
• Fast clock to data access: 3.0/3.5/4.0 ns  
• Fast OE access time: 3.0/3.5/4.0 ns  
• Fully synchronous register-to-register operation  
• Single register “Flow-through” mode  
• Dual-cycle deselect  
• 2.5V I/O operation  
*
• NTD™ pipeline architecture available  
(AS7C25512NTD32A/ AS7C25512NTD36A)  
- Single-cycle deselect also available  
(AS7C25512PFS32A/ AS7C25512PFS36A)  
• Pentium® compatible architecture and timing  
®
*
* Pentium is a registered trademark of Intel Corporation. NTD™ is a  
trademark of Alliance Semiconductor Corporation. All trademarks  
mentioned in this document are the property of their respective owners.  
• Asynchronous output enable control  
Logic Block Diagram  
Pin Arrangements:  
LBO  
CLK  
ADV  
ADSC  
ADSP  
CLK  
CE  
Burst logic  
CLR  
512K × 32/36  
Memory  
18  
16  
18  
DQP /NC  
b
DQP /NC  
c
1
80  
79  
78  
77  
76  
75  
74  
73  
72  
71  
70  
69  
68  
67  
66  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
19  
array  
D
CE  
CLK  
Q
A[18:0]  
DQ  
b
DQ  
c
2
Address  
register  
DQ  
DQ  
3
b
c
V
V
4
DDQ  
SSQ  
DDQ  
SSQ  
c
V
V
5
DQ  
DQ  
6
36/32  
36/32  
b
GWE  
BWE  
D
Q
Q
Q
Q
DQ  
b
DQ  
c
7
DQ  
d
Byte write  
DQ  
b
DQ  
c
8
BW  
d
registers  
CLK  
DQ  
DQ  
9
b
c
SSQ  
V
V
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
SSQ  
DDQ  
V
V
DQ  
DQ  
c
DDQ  
D
DQ  
DQ  
c
c
b
BW  
DQ  
b
c
Byte write  
registers  
V
FT  
SS  
CLK  
D
NC  
VDD  
ZZ  
V
DD  
TQFP 14 × 20 mm  
512K x 32A/36A  
NC  
DQ  
b
V
SS  
BW  
b
Byte write  
DQ  
DQ  
a
d
registers  
DQ  
a
DQ  
d
CLK  
V
V
DDQ  
DDQ  
V
V
SSQ  
SSQ  
d
D
DQ  
a
DQ  
DQ  
4
a
BW  
a
Byte write  
DQ  
a
DQ  
d
registers  
DQ  
a
DQ  
d
CLK  
D
DQ  
DQ  
a
d
SSQ  
CE0  
CE1  
CE2  
V
V
SSQ  
OE  
Output  
registers  
CLK  
Q
Q
V
V
DDQ  
DDQ  
Input  
registers  
CLK  
Enable  
register  
DQ  
DQ  
a
d
CE  
CLK  
DQ  
a
DQ  
d
DQP /NC  
d
DQP /NC  
a
D
Enable  
delay  
Power  
down  
ZZ  
register  
CLK  
Note: Pins 1,30,51,80 are NC for ×32  
OE  
DATA [35:0]  
DATA [31:0]  
FT  
Selection guide  
-200  
-166  
6
-100  
10  
Units  
Minimum cycle time  
5
ns  
MHz  
ns  
Maximum clock frequency  
200  
3.0  
280  
100  
30  
166  
3.5  
230  
70  
100  
4.0  
150  
50  
Maximum pipelined clock access time  
Maximum operating current  
Maximum standby current  
mA  
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current (DC)  
30  
30  
10/3/01; v.0.9.1  
Alliance Semiconductor  
1 of 2  
Copyright © Alliance Semiconductor. All rights reserved.  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS7C25512PFD32A-200TQC ISSI

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