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AS7C251MNTD32A-167TQC

更新时间： 2024-01-21 02:26:24

品牌	Logo	应用领域
ALSC		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	453K
描述
ZBT SRAM, 1MX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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AS7C251MNTD32A-167TQC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.85	最长访问时间：	7.5 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	167 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.06 A	最小待机电流：	2.38 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm

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AS7C251MNTD32A

AS7C251MNTD36A

Alliance Semiconductor Corporation

2575, Augustine Drive,

Santa Clara, CA 95054

Tel: 408 - 855 - 4900

Part Number: AS7C251MNTD32A

AS7C251MNTD36A

Fax: 408 - 855 - 4999

www.alsc.com

Document Version: V 1.0

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Alliance against all claims arising from such use.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AS7C251MNTD32A-167TQCN	ALSC	ZBT SRAM, 1MX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD-FREE, TQFP-100	获取价格
AS7C251MNTD32A-167TQI	ALSC	ZBT SRAM, 1MX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100	获取价格
AS7C251MNTD32A-167TQIN	ALSC	ZBT SRAM, 1MX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD-FREE, TQFP-100	获取价格
AS7C251MNTD32A-200BC	ALSC	ZBT SRAM, 1MX32, 6.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	获取价格
AS7C251MNTD32A-200BCN	ALSC	ZBT SRAM, 1MX32, 6.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD-FREE, BGA-165	获取价格
AS7C251MNTD32A-200BI	ALSC	ZBT SRAM, 1MX32, 6.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	获取价格

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