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AS7C251MNTD32A-167TQC

更新时间: 2024-01-26 14:21:33
品牌 Logo 应用领域
ALSC 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 453K
描述
ZBT SRAM, 1MX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

AS7C251MNTD32A-167TQC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87
针数:100Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.85最长访问时间:7.5 ns
其他特性:FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK):167 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0长度:20 mm
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:ZBT SRAM
内存宽度:32功能数量:1
端子数量:100字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装等效代码:QFP100,.63X.87封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最大待机电流:0.06 A最小待机电流:2.38 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.35 mA
最大供电电压 (Vsup):2.625 V最小供电电压 (Vsup):2.375 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm

AS7C251MNTD32A-167TQC 数据手册

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AS7C251MNTD32A  
AS7C251MNTD36A  
®
Key to switching waveforms  
Rising input  
Falling input  
Undefined/don’t care  
Timing waveform of read/write cycle  
tCH tCL  
tCYC  
CLK  
tCENS  
tCENH  
CEN  
CE1  
tCSS  
tCSH  
CE0, CE2  
tADVS  
tADVH  
ADV/LD  
tWS  
tWH  
R/W  
tWS  
tWH  
BWn  
tAS  
tAH  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
A1  
A2  
ADDRESS  
tCD  
tLZC  
tDS tDH  
tOH  
tOE  
tHZC  
D/Q  
pipelined  
D(A5)  
Q(A6)  
D(A1)  
D(A2)  
Q(A3)  
Q(A4)  
Q(A4Ý01)  
D(A2Ý01)  
tHZOE  
tLZOE  
OE  
D/Q  
flow-through  
Q(A4Ý01)  
D(A5)  
Q(A6)  
Q(A7)  
D(A1)  
D(A2)  
D(A2Ý01)  
Q(A3)  
Q(A4)  
BURST  
READ  
Q(A4Ý01)  
READ  
Q(A3)  
DSEL  
WRITE  
D(A2)  
BURST  
WRITE  
D(A2Ý01)  
WRITE  
D(A5)  
READ  
Q(A6)  
WRITE  
D(A7)  
READ  
Q(A4)  
WRITE  
D(A1)  
Command  
Note: Ý = XOR when LBO = high/no connect. Ý = ADD when LBO = low. BW[a:d] is don’t care.  
4/26/04, V 1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 17 of 22  

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