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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TBGA, | 针数： | 165 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.74 |
| 最长访问时间： | 7.5 ns | 其他特性： | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 15 mm | 内存密度： | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型： | ZBT SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 165 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX18 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.65 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.35 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 13 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AS7C251MNTD18A-200BI | ISSI |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165 |
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| AS7C251MNTD18A-200TQC | ISSI |
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ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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| AS7C251MNTD18A-200TQI | ISSI |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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| AS7C251MNTD18A-225BC | ISSI |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX18, 6.9ns, CMOS, PBGA165, BGA-165 |
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| AS7C251MNTD18A-225BI | ISSI |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX18, 6.9ns, CMOS, PBGA165, BGA-165 |
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| AS7C251MNTD18A-225TQC | ISSI |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX18, 6.9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
|
| AS7C251MNTD18A-225TQI | ISSI |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX18, 6.9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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| AS7C251MNTD18A-250BC | ISSI |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165 |
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| AS7C251MNTD18A-250TQC | ISSI |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
|
| AS7C251MNTD18AA-225TQI | ISSI |
获取价格 |
SRAM |
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