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AS7C251MNTD18A-200BI

更新时间： 2024-11-26 03:24:31
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 366K
描述
ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165

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AS7C251MNTD18A-200BI 数据手册

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December 2002  
Advance Information  
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TM  
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Features  
• Organization: 1,048,576 words × 18 bits  
• NTD architecture for efficient bus operation  
• Available in 100-pin TQFP and 165-ball BGA package  
• Byte write enables  
™1  
• Fast clock speeds to 250 MHz in LVTTL/ LVCMOS  
• Fast clock to data access: 2.6/ 2.8/ 3/ 3.4 ns  
• Fast OEaccess time: 2.6/ 2.8/ 3/ 3.4 ns  
• Fully synchronous operation  
• Clock enable for operation hold  
• Multiple chip enables for easy expansion  
• 2.5V core power supply  
• Self-timed write cycles  
• Flow-through or pipelined mode  
• Asynchronous output enable control  
• Interleaved or linear burst modes  
• Snooze mode for standby operation  
TM  
1. NTD is a trademark of Alliance Semiconductor Corporation.  
Logic block diagram  
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Selection guide  
-250  
4
-225  
4.4  
-200  
-166  
6
Units  
ns  
Minimum cycle time  
5
Maximum pipelined clock frequency  
Maximum pipelined clock access time  
Maximum operating current  
250  
2.6  
425  
110  
70  
225  
2.8  
200  
3.0  
370  
110  
70  
166  
3.4  
340  
90  
MHz  
ns  
400  
110  
70  
mA  
mA  
mA  
Maximum standby current  
Maximum CMOS standby current (DC)  
70  
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与AS7C251MNTD18A-200BI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS7C251MNTD18A-200TQC ISSI

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 		ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
AS7C251MNTD18A-200TQI ISSI

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 		ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
AS7C251MNTD18A-225BC ISSI

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 		ZBT SRAM, 1MX18, 6.9ns, CMOS, PBGA165, BGA-165
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AS7C251MNTD18AA-225TQI ISSI

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 		SRAM
AS7C251MNTD32A ALSC

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 		2.5V 1M x 32/36 Pipelined SRAM with NTD

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