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AS7C251MFT32A-10TQCN

更新时间: 2024-01-05 18:07:24
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ALSC 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
19页 521K
描述
2.5V 1M x 32/36 Flow-through synchronous SRAM

AS7C251MFT32A-10TQCN 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:QFP包装说明:LQFP,
针数:100Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.38最长访问时间:10 ns
其他特性:FLOW-THROUGH ARCHITECTUREJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e3长度:20 mm
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:32功能数量:1
端子数量:100字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:1MX32封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):245认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm最大供电电压 (Vsup):2.625 V
最小供电电压 (Vsup):2.375 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:14 mmBase Number Matches:1

AS7C251MFT32A-10TQCN 数据手册

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AS7C251MFT32A  
AS7C251MFT36A  
®
Pin assignment  
100-pin TQFP - top view  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
NC/DQPc  
DQPb/NC  
DQb7  
DQb6  
VDDQ  
VSSQ  
DQb5  
DQb4  
DQb3  
DQb2  
VSSQ  
VDDQ  
DQb1  
DQb0  
VSS  
NC  
VDD  
80  
79  
78  
77  
76  
75  
74  
73  
72  
71  
70  
69  
68  
67  
66  
65  
64  
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62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
DQc0  
DQc1  
VDDQ  
VSSQ  
DQc2  
DQc3  
DQc4  
DQc5  
VSSQ  
VDDQ  
DQc6  
DQc7  
NC  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
VDD  
NC  
VSS  
TQFP 14 x 20mm  
ZZ  
DQd0  
DQd1  
VDDQ  
VSSQ  
DQd2  
DQd3  
DQd4  
DQd5  
VSSQ  
VDDQ  
DQa7  
DQa6  
VDDQ  
VSSQ  
DQa5  
DQa4  
DQa3  
DQa2  
VSSQ  
VDDQ  
27  
28  
29  
30  
DQd6  
DQd7  
NC/DQPd  
DQa1  
DQa0  
DQPa/NC  
Note: For pins 1, 30, 51, and 80, NC applies to the x32 configuration. DQPn applies to the x36 configuration.  
1/17/05, v 1.2  
Alliance Semiconductor  
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