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AS7C251MFT32A-65BIN

更新时间： 2024-01-05 06:19:34
品牌 Logo 应用领域
ALSC 时钟ISM频段静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 578K
描述
Standard SRAM, 1MX32, 6.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165

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AS7C251MFT32A-65BIN 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：LBGA, BGA165,11X15,40
针数：165Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.84最长访问时间：6.5 ns
其他特性：FLOW-THROUGH ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：133 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B165
JESD-609代码：e3/e6长度：17 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：32功能数量：1
端子数量：165字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX32输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装等效代码：BGA165,11X15,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.46 mm
最大待机电流：0.1 A最小待机电流：2.38 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.625 V最小供电电压 (Vsup)：2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：15 mm
Base Number Matches：1

AS7C251MFT32A-65BIN 数据手册

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April 2004  
AS7C251MFT32A  
AS7C251MFT36A  
®
2.5V 1M × 32/36 Flow-through synchronous SRAM  
Features  
• Organization: 1,048,576 words × 32 or 36 bits  
• Fast clock to data access: 6.5/7.5/8.5 ns  
• Fast OE access time: 3.5/3.5/4.0 ns  
• Common data inputs and data outputs  
• Boundary scan using IEEE 1149.1 JTAG function  
1
• NTD™ pipelined architecture available  
• Fully synchronous flow-through operation  
• Asynchronous output enable control  
• Available in 100-pin TQFP package and 165-ball BGA  
• Individual byte write and global write  
• Multiple chip enables for easy expansion  
• 2.5V core power supply  
(AS7C252MNTD18A, AS7C251MNTD32A/  
AS7C251MNTD36A)  
1 NTD™ is a trademark of Alliance Semiconductor Corporation. All  
trademarks mentioned in this document are the property of their  
respective owners.  
• Linear or interleaved burst control  
• Snooze mode for reduced power-standby  
Logic block diagram  
LBO  
CLK  
ADV  
ADSC  
ADSP  
CLK  
CE  
Q0  
Burst logic  
CLR  
1M × 32/36  
Q1  
Memory  
array  
2
2
D
CE  
CLK  
Q
A[19:0]  
Address  
20  
20  
18  
20  
register  
32/36  
32/36  
GWE  
BWE  
BWd  
D
Q
DQd  
Byte write  
registers  
CLK  
D
Q
DQc  
Byte write  
registers  
BWc  
BWb  
CLK  
D
Q
DQb  
Byte write  
registers  
CLK  
D
Q
DQa  
Byte write  
registers  
4
BWa  
CLK  
CE0  
CE1  
OE  
Output  
registers  
D
Q
Q
CE2  
Input  
registers  
CLK  
Enable  
register  
CE  
CLK  
CLK  
D
Enable  
Power  
down  
delay  
register  
CLK  
ZZ  
32/36  
DQ[a:d]  
OE  
Selection guide  
-65  
7.5  
-75  
-85  
10  
Units  
ns  
Minimum cycle time  
8.5  
7.5  
Maximum clock access time  
Maximum operating current  
Maximum standby current  
6.5  
8.5  
270  
130  
110  
ns  
310  
140  
110  
290  
130  
110  
mA  
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current (DC)  
4/26/04, v 1.0  
Alliance Semiconductor  
1 of 23  
Copyright © Alliance Semiconductor. All rights reserved.  
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