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AS6UB51216-70TC

更新时间: 2024-02-23 07:39:27
品牌 Logo 应用领域
ALSC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 184K
描述
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

AS6UB51216-70TC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2,
针数:44Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G44长度:18.41 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:44字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

AS6UB51216-70TC 数据手册

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AS6UB51216  
&
ꢂꢃꢆ  
Read cycle (over the operating range)  
–55  
–70  
Parameter  
Symbol  
tRC  
Min  
55  
Max  
Min  
70  
Max  
Unit  
Notes  
Read cycle time  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address access time  
tAA  
55  
55  
25  
70  
70  
35  
3
3
Chip enable (CS) access time  
Output enable (OE) access time  
Output hold from address change  
CSꢁꢇꢍꢝꢁꢚo output in low Z  
CS high to output in high Z  
OE low to output in low Z  
UB/LB access time  
tACS  
tOE  
tOH  
tCLZ  
tCHZ  
tOLZ  
tBA  
10  
10  
0
10  
10  
0
5
4, 5  
4, 5  
4, 5  
20  
25  
5
5
55  
70  
UB/LB low to low Z  
tBLZ  
tBHZ  
tOHZ  
tPU  
10  
0
10  
0
4, 5  
4, 5  
4, 5  
4, 5  
4, 5  
UB/LB high to high Z  
OE high to output in high Z  
Power up time  
20  
20  
25  
25  
0
0
0
0
Power down time  
tPD  
55  
70  
Key to switching waveforms  
Rising input  
Falling input  
Undefined/don’t care  
ꢂꢃꢄꢃꢅꢃꢆ  
Read waveform 1 (address controlled)  
t
RC  
Address  
t
AA  
t
t
OH  
OH  
D
Previous data valid  
Data valid  
OUT  
10/30/01; V.0.9.2  
Alliance Semiconductor  
P. 4 of 11  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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