是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, | 针数: | 36 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.08 |
最长访问时间: | 12 ns | JESD-30 代码: | R-CDSO-J36 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 23.4823 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 36 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 512KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | SOJ | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.064 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 11.3538 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AS5C512K8ECJ-12/IT | AUSTIN |
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512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT | |
AS5C512K8ECJ-12/XT | AUSTIN |
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512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT | |
AS5C512K8ECJ-12E/IT | ETC |
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x8 SRAM | |
AS5C512K8ECJ-12E/XT | ETC |
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x8 SRAM | |
AS5C512K8ECJ-12L | AUSTIN |
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512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT | |
AS5C512K8ECJ-12L | MICROSS |
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Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36 | |
AS5C512K8ECJ-12L/883C | MICROSS |
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Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, CDSO36, LEAD FREE, CERAMIC, SOJ-36 | |
AS5C512K8ECJ-12L/H | AUSTIN |
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512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT | |
AS5C512K8ECJ-12L/H | MICROSS |
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Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36 | |
AS5C512K8ECJ-12L/IT | ETC |
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x8 SRAM |