是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, | 针数: | 36 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.45 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 15 ns |
JESD-30 代码: | R-CDSO-J36 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 23.4823 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 36 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 512KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | SOJ |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.064 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 11.3538 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AS5C512K8ECJ-15/IT | AUSTIN |
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512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT | |
AS5C512K8ECJ-15/XT | AUSTIN |
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512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT | |
AS5C512K8ECJ-15E/883C | ETC |
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x8 SRAM | |
AS5C512K8ECJ-15E/IT | MICROSS |
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Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36 | |
AS5C512K8ECJ-15E/XT | MICROSS |
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Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36 | |
AS5C512K8ECJ-15L | AUSTIN |
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512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT | |
AS5C512K8ECJ-15L | MICROSS |
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Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36 | |
AS5C512K8ECJ-15L/883C | ETC |
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x8 SRAM | |
AS5C512K8ECJ-15L/IT | MICROSS |
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Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, CDSO36, LEAD FREE, CERAMIC, SOJ-36 | |
AS5C512K8ECJ-15L/XT | MICROSS |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, CDSO36, LEAD FREE, CERAMIC, SOJ-36 |