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AS4LC1M16E5-60JC PDF预览

AS4LC1M16E5-60JC

更新时间： 2024-02-11 09:09:36
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 590K
描述
3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO)

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AS4LC1M16E5-60JC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数：50Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.39访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：20.95 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：44
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44/50,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.0002 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.075 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

AS4LC1M16E5-60JC 数据手册

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AS4LC1M16E5  
®
Hyper page mode cycle  
-50  
-60  
Symbol  
tCPWD  
tCPA  
Parameter  
Min  
45  
–
Max  
–
Min  
52  
–
Max  
–
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Notes  
16  
CAS precharge to WE delay time  
Access time from CAS precharge  
RAS pulse width  
28  
100K  
–
35  
100K  
–
tRASP  
tDOH  
tREZ  
50  
5
60  
5
Previous data hold time from CAS  
Output buffer turn off delay from RAS  
Output buffer turn off delay from WE  
Output buffer turn off delay from OE  
Hyper page mode cycle time  
Hyper page mode RMW cycle  
RAS hold time from CAS  
0
13  
13  
13  
–
0
15  
15  
15  
–
tWEZ  
0
0
tOEZ  
0
0
tHPC  
20  
47  
30  
25  
56  
35  
tHPRWC  
tRHCP  
–
–
–
–
Shaded areas indicate advance information.  
Output enable  
-50  
-60  
Symbol  
tCLZ  
Parameter  
Min  
0
Max  
–
Min  
0
Max  
–
Unit  
ns  
Notes  
11  
CAS to output in Low Z  
RAS hold time referenced to OE  
OE access time  
tROH  
tOEA  
tOED  
tOEZ  
8
–
10  
–
–
ns  
–
13  
–
15  
–
ns  
OE to data delay  
13  
0
15  
0
ns  
Output buffer turnoff delay from OE  
OE command hold time  
OE to output in Low Z  
Output buffer turn-off time  
13  
–
15  
–
ns  
11  
tOEH  
tOLZ  
10  
0
10  
0
ns  
–
–
ns  
tOFF  
0
13  
0
15  
ns  
11,13  
Shaded areas indicate advance information.  
Self refresh cycle  
-50  
-60  
Std Symbol Parameter  
Min  
100  
Max  
–
Min  
100  
Max  
–
Unit  
µs  
Notes  
RAS pulse width  
tRASS  
(CBR self refresh)  
RAS precharge time  
(CBR self refresh)  
tRPS  
90  
8
–
–
105  
10  
–
–
ns  
ns  
CAS hold time  
tCHS  
(CBR self refresh)  
Shaded areas indicate advance information.  
4/11/01  
Alliance Semiconductor  
7
1...45678910...22

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AS4LC1M16EC6/883 MICROSS EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, CDSO44

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AS4LC1M16EC-6/883C MICROSS EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, CDSO44, 0.450 INCH, CERAMIC, LCC-50/44

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