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AS4LC1M16EC6/883

更新时间: 2024-02-12 15:10:04
品牌 Logo 应用领域
MICROSS 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 1525K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, CDSO44

AS4LC1M16EC6/883 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:SON, SOLCC44/50,.44,32Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.83最长访问时间:60 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDSO-N44
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:16端子数量:44
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:SON
封装等效代码:SOLCC44/50,.44,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
自我刷新:NO最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.17 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:NO LEAD端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

AS4LC1M16EC6/883 数据手册

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