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AS4DDR264M65PBG1R-3/XT

更新时间： 2024-11-11 06:37:51
品牌 Logo 应用领域
AUSTIN 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
28页 242K
描述
64Mx64 DDR2 SDRAM w/ DUAL CONTROL BUS iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit

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AS4DDR264M65PBG1R-3/XT 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：BGA,针数：208
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.36风险等级：5.55
访问模式：MULTI BANK PAGE BURST最长访问时间：0.45 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-PBGA-B208
内存密度：4294967296 bit内存集成电路类型：DDR DRAM
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：208
字数：67108864 words字数代码：64000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：64MX64
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
认证状态：Not Qualified自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM

AS4DDR264M65PBG1R-3/XT 数据手册

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iPEM  
4.2 Gb SDRAM-DDR2  
Austin Semiconductor, Inc.  
AS4DDR264M65PBG1  
64Mx64 DDR2 SDRAM w/ DUAL CONTROL BUS  
iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit  
BENEFITS  
FEATURES  
„
„
„
DDR2 Data rate = 667, 533, 400  
„
„
„
„
58% Space Savings  
Available in Industrial, Enhanced and Extended Temp  
Package:  
49% I/O reduction vs Individual CSP approach  
Reduced part count  
• Proprietary Enchanced Die Stacked iPEM  
• 208 Plastic Ball Grid Array (PBGA), 16 x 23mm  
• 1.00mm ball pitch  
Reduced trace lengths for lower parasitic  
capacitance  
Suitable for hi-reliability applications  
Upgradable to 128M x 64 density in future  
Pin / Function equivalent to White  
W3H64M64E-xSBx  
„
„
„
„
„
„
„
Differential data strobe (DQS, DQS#) per byte  
Internal, pipelined, double data rate architecture  
4n-bit prefetch architecture  
DLL for alignment of DQ and DQS transitions with  
clock signal  
Eightinternal banks for concurrent operation  
(Per DDR2 SDRAM Die)  
„
„
„
„
„
„
„
„
„
„
„
Programmable Burst lengths: 4 or 8  
Auto Refresh and Self Refresh Modes (I/T Version)  
On Die Termination (ODT)  
Adjustable data – output drive strength  
1.8V 0.1V common core power and I/O supply  
Programmable CAS latency: 3, 4, 5, 6 or 7  
Posted CAS additive latency: 0, 1, 2, 3, 4 or 5  
Write latency = Read latency - 1* tCK  
Organized as 64M x 64  
Weight: AS4DDR264M64PBG1 ~ 2.0 grams typical  
NOTE: Self Refresh Mode available on Industrial and Enhanced temp. only  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Ax, BA0-2  
ODT  
VRef  
VCC  
VCCQ  
VCCQ  
VCCQ  
VCCQ  
VSS  
VSSQ  
VCCL  
VSSDL  
VSSQ  
VCCL  
VSSDL  
VSSQ  
VCCL  
VSSQ  
VCCL  
VSSDL  
VSSDL  
D
A
B
C
CSb\  
CSa\  
WEb\  
RASb\  
CASb\  
WEa\  
RASa\  
CASa\  
CKEa\  
CKEb\  
2
2
2
2
ODT  
2
2
2
2
UDMx, LDMx  
UDSQx,UDSQx\  
LDSQx, LDSQx\  
CKx,CKx\  
2
2
2
2
2
2
2
2
C
B
D
DQ32-47  
A
DQ0-15  
DQ16-31  
DQ48-63  
Austin Semiconductor, Inc.  
● Austin, Texas ● 512.339.1188 ● www.austinsemiconductor.com  
AS4DDR264M65PBG1  
Rev. 0.5 06/08  
1
1234567...28

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS4DDR264M65PBG1R-38/ET AUSTIN

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 		64Mx64 DDR2 SDRAM w/ DUAL CONTROL BUS iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit
AS4DDR264M65PBG1R-38/IT AUSTIN

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 		64Mx64 DDR2 SDRAM w/ DUAL CONTROL BUS iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit
AS4DDR264M65PBG1R-38/XT AUSTIN

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